上一章我們已經講到了集成電路芯片原材料--硅元素（主要成分是二氧化硅的沙子），同時也簡單梳理了下從隨處可見的沙子到可以用的來制作集成電路芯片的硅晶圓的步驟（純化，拉晶，切割）。那么，以下我們將開始具體的詳細的給大家講解下這三個步驟是怎么樣來實現(xiàn)的。

1.純化，就是對材料進行深度的提煉，提煉出高純度的硅元素。采用氧化還原的方式，加點輔助材料，用高溫進行提煉。不過這樣的冶煉下，對于硅元素，只能得到98%以上純度的金屬硅。還需要采用西門子制程進一步純化，才能獲得所需的高純度多晶硅。（這樣的冶煉將得到高純度99.9999999%（9N）和低純度99.9999%（6N）的多晶硅；高純度的用來做IC等精密電路IC，俗稱半導體等級多晶硅，低純度的用來做太陽能電池，俗稱太陽能等級多晶硅）純化需要進行塑性，形成下階段所需要的形狀，這樣的過程稱之為拉晶。

2.拉晶，就是硅原子按照順序進行排列，形成所需要的單晶硅住。將高純度多晶硅進行融化，形成液態(tài)的硅，之后再以單晶的硅種和液態(tài)表面接觸，一邊旋轉一邊緩慢的向上拉起，這就是拉晶工藝。拉晶完形成的這種圓柱體狀的，我們稱之為硅棒。對于企業(yè)來講，硅棒越大，其制作的芯片越多，其成本越低。這就是考驗拉晶工藝的時候了，在拉晶過程中，對于越大的硅棒，對其溫度及旋轉速度的控制就要越好，故此，能生產出越大尺寸的硅棒，其企業(yè)的工藝就越高。市場上所提到的8寸，12寸等，指的就是硅棒的直徑大小。

3.切割，一整條的硅棒沒法整成小小的芯片，這就需要對其進行切割，以鉆石刀將硅棒橫向切成薄薄的圓片，圓片后期再經由拋光便可形成制造所需的基板，而切割拋光之后的圓片，稱之為硅晶圓。
        相信經過以上3個步驟的分別的詳細的仔細的說明和講解，大家已經對于集成芯片的生產的前段部分的流程有了很明確的了解了。不過到目前為止我們只是到了硅晶圓這一步，不過具體怎么由硅晶圓到我們電器上使用的集成電路還是有很多流程的。這些內容我們將在下一章節(jié)講述。

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